हल इफेक्ट करेन्ट सेन्सर स्प्लिट कोर ट्रान्सड्यूसर
विवरण
| उत्पादनको नाम | हल इफेक्ट करेन्ट सेन्सर स्प्लिट कोर ट्रान्सड्यूसर |
| प्रतिशेयर | MLRH-2147 को लागि सोधपुछ पेश गर्नुहोस्, हामी तपाईंलाई 24 घण्टामा सम्पर्क गर्नेछौं। |
| प्राथमिक मूल्याङ्कन गरिएको वर्तमान | २०/५०/१००/२००ए/३००ए/४००ए |
| आउटपुट भोल्टेज | एकल पावर २.५±२V |
| दोहोरो शक्ति | दोहोरो पावर ०±४V |
| भोल्टेज सहन सक्ने इन्सुलेशन | ३ केभी/१ मिनेट |
| सञ्चालन आवृत्ति | ५०-६० हर्ट्ज |
| सञ्चालन तापमान | -४० ℃ ~ +८५ ℃ |
| इन्सुलेशन | इपोक्सी राल क्याप्सुलेटेड |
| बाहिरी केस | ज्वाला प्रतिरोधक PBT |
| Aप्रयोग | परिवर्तनशील आवृत्ति विद्युतीय उपकरणहरू, इन्भर्टर, एसी/डीसी परिवर्तनशील-गति ड्राइभ स्विच्ड मोड पावर सप्लाई (SMPS), अनइन्टर्प्टिबल पावर सप्लाई (UPS), |
विशेषताहरू
सजिलो स्थापना
झ्यालको संरचना
कम बिजुली खपत, धेरै राम्रो रेखीयता
फराकिलो हालको मूल्याङ्कन दायराको लागि केवल एउटा डिजाइन
बाह्य हस्तक्षेपको लागि उच्च प्रतिरोधात्मक क्षमता
कुनै सम्मिलन घाटा छैन
डुअल पावर हल करेन्ट सेन्सर
विद्युतीय डेटा (Ta=25ºC±5ºC)
| मूल्याङ्कन गरिएको इनपुट | IPN | २०/५०/१०० | A |
| मापन दायरा | IP | ±३०/±७५/±१५० | A |
| आउटपुट भोल्टेज | Vo | ±४.०*(IP/IPN) | V |
| लोड प्रतिरोध | RL | >१० | KΩ |
| आपूर्ति भोल्टेज | VC | （±१२ ～±१५） ±५% | V |
| शुद्धता | XG | @IPN,T=२५°C <±१.० | % |
| अफसेट भोल्टेज | VOE | @IP=०,T=२५°C <±२५ | mV |
| V को तापक्रम भिन्नताOE | VOT | @IP=०,-४० ~ +८५°C <±१.०/ <±०.५/< ±०.५ | mV/℃ |
| V को तापक्रम भिन्नताO | VOS | @IP=IPN, -४० ~ +८५°C <±२.५ | % |
| हिस्टेरेसिस अफसेट भोल्टेज | VOH | @IP=०, १*IPN पछि <±२५ | mV |
| रेखीयता त्रुटि | εr | < १.० | %FS |
| दिन/तारिख | > १०० | अ/μs | |
| प्रतिक्रिया समय | ट्रा | IPN < ५.० को ९०% मा | μs |
| बिजुली खपत | IC | @+१५V <२३ | mA |
| @-१५V <४.५ | mA | ||
| ब्यान्डविथ | BW | @-३dB, IPN DC-२० | केएचजेड |
| इन्सुलेशन भोल्टेज | Vd | @५०/६० हर्ट्ज, १ मिनेट, एसी, १.५ एमए ४.० | KV |
घण्टी प्रकार विद्युतीय डेटा: (Ta=२५°C, Vc=+१२.०VDC, RL=२KΩ)
| प्यारामिटर | हामीसँग अहिले स्टकमा MLRH-50A/2V को 2500 टुक्राहरू उपलब्ध छन्। | हामीसँग अहिले स्टकमा MLRH-100A/2V को 250 टुक्राहरू उपलब्ध छन्। | हामीसँग अहिले स्टकमा MLRH-200A/2V को 2500 टुक्राहरू उपलब्ध छन्। | हामीसँग अहिले स्टकमा MLRH-300A/2V को 2500 टुक्राहरू उपलब्ध छन्। | हामीसँग अहिले स्टकमा MLRH-400A/2V को 250 टुक्राहरू उपलब्ध छन्। | एकाइ | |
| मूल्याङ्कन गरिएको इनपुट | IPN | 50 | १०० | २०० | ३०० | ४०० | A |
| मापन दायरा | IP | ०～±५० | ०～±१०० | ०～±२०० | ०～±३०० | ०～±४०० | A |
| आउटपुट भोल्टेज | Vo |
| २.५००±२.०*(IP/IPN) |
| V | ||
| आउटपुट भोल्टेज | Vo | @IP=०,T=२५°C | २,५०० |
| V | ||
| लोड प्रतिरोध | RL |
| >२ |
| KΩ | ||
| आपूर्ति भोल्टेज | VC |
| +१२.० ±५% |
| V | ||
| शुद्धता | XG | @IPN,T=२५°C | <±१.० | % | |||
| अफसेट भोल्टेज | VOE | @IP=०, टिबी=२५°सेल्सियस | <±२५ | mV | |||
| V को तापक्रम भिन्नताOE | VOT | @IP=०,-४० ~ +८५°C | <±१.० | mV/℃ | |||
| हिस्टेरेसिस अफसेट भोल्टेज | VOH | @IP=०, १*IPN पछि | <±२० | mV | |||
| रेखीयता त्रुटि | εr | < १.० | %FS | ||||
| दिन/तारिख |
| > १०० | अ/µs | ||||
| प्रतिक्रिया समय | ट्रा | IPN को @९०% | < ३.० | μs | |||
| बिजुली खपत | IC | 15 | mA | ||||
| ब्यान्डविथ | BW | @-३dB, IPN | डीसी-२० | केएचजेड | |||
| इन्सुलेशन भोल्टेज | Vd | @५०/६० हर्ट्ज, १ मिनेट, एसी | २.५ | KV | |||
सामान्य तथ्याङ्क:
| 参数 प्यारामिटर | 符号 प्रतीक | 数值मान | 单位एकाइ |
| सञ्चालन तापमान | TA | -४० ~ +८५ | °से. |
| भण्डारण तापक्रम | Ts | -५५~ +१२५ | °से. |
| तौल | m | 70 | g |
| प्लास्टिक सामग्री | PBT G30/G15, UL94- V0; | ||
| मानकहरू | IEC60950-1:2001 को परिचय | ||
| EN50178:1998 | |||
| SJ20790-2000 को लागि सोधपुछ पेश गर्नुहोस्, हामी तपाईंलाई 24 घण्टामा सम्पर्क गर्नेछौं। | |||
आयाम (मिमी):
टिप्पणीहरू:
१, जब सेन्सरको प्राथमिक पिनबाट करेन्ट मापन गरिन्छ, भोल्टेज आउटपुट अन्त्यमा मापन गरिनेछ। (नोट: गलत तारले सेन्सरलाई क्षति पुर्याउन सक्छ)।
२, फरक मूल्याङ्कन गरिएको इनपुट करेन्ट र आउटपुट भोल्टेजमा अनुकूलन डिजाइन उपलब्ध छ।
३, प्राथमिक प्वाल पूर्ण रूपमा भरिएको खण्डमा गतिशील प्रदर्शन उत्तम हुन्छ;
४, प्राथमिक कन्डक्टर <१००°C हुनुपर्छ;
आयताकार प्रकार विद्युतीय डेटा: (Ta=२५°C, Vc=+१२.०VDC, RL=२KΩ)
| प्यारामिटर | एमएलआरएच-२०० ए/२ भी | एमएलआरएच४-६००ए/२भी | एमएलआरएच४-८००ए/२भी | एमएलआरएच४-१०००ए/२भी | एमएलआरएच४-१२००ए/२भी को परिचय | एमएलआरएच४-२०००ए/२भी को परिचय | एकाइ | |
| मूल्याङ्कन गरिएको इनपुट | आईपीएन | २०० | ६०० | ८०० | १००० | १२०० | २००० | A |
| मापन दायरा | IP | ०～±२०० | ०～±६०० | ०～±८०० | ०～±१००० | ०～±१२०० | ०～±२००० | A |
| आउटपुट भोल्टेज | Vo |
| २.५००±२.०*(आईपी/आईपीएन) |
| V | |||
| आउटपुट भोल्टेज | Vo | @IP=०,T=२५°C | २,५०० |
| V | |||
| लोड प्रतिरोध | RL |
| >२ |
| KΩ | |||
| आपूर्ति भोल्टेज | VC |
| +१२.०±५% |
| V | |||
| शुद्धता | XG | @IPN,T=२५°C | <±१.० | % | ||||
| अफसेट भोल्टेज | आवाज | @IP=०,T=२५°C | <±२५ | mV | ||||
| VOE को तापक्रम भिन्नता | भोट | @IP=०,-४० ~ +८५°C | <±१.० | mV/℃ | ||||
| हिस्टेरेसिस अफसेट भोल्टेज | भीओएच | @IP=०, १*IPN पछि | <±२० | mV | ||||
| रेखीयता त्रुटि | εr | < १.० | %FS | |||||
| दिन/तारिख |
| > १०० | अ/µs | |||||
| प्रतिक्रिया समय | ट्रा | IPN को @९०% | < ७.० | μs | ||||
| बिजुली खपत | IC | 15 | mA | |||||
| ब्यान्डविथ | BW | @-३dB, IPN | डीसी-२० | केएचजेड | ||||
| इन्सुलेशन भोल्टेज | Vd | @५०/६० हर्ट्ज, १ मिनेट, एसी | ६.० | KV | ||||
सामान्य तथ्याङ्क:
| 参数 प्यारामिटर | 符号 प्रतीक | 数值मान | 单位एकाइ |
| सञ्चालन तापमान | TA | -४० ~ +८५ | °से. |
| भण्डारण तापक्रम | Ts | -५५~ +१२५ | °से. |
| तौल | m | २०० | g |
| प्लास्टिक सामग्री | PBT G30/G15, UL94- V0; | ||
| मानकहरू | IEC60950-1:2001 को परिचय | ||
| EN50178:1998 | |||
| SJ20790-2000 को लागि सोधपुछ पेश गर्नुहोस्, हामी तपाईंलाई 24 घण्टामा सम्पर्क गर्नेछौं। | |||
आयाम (मिमी):
टिप्पणीहरू:
१, जब सेन्सरको प्राथमिक पिनबाट करेन्ट मापन गरिन्छ, भोल्टेज हुनेछ
आउटपुट अन्त्यमा मापन गरिएको। (नोट: गलत तारले सेन्सरलाई क्षति पुर्याउन सक्छ)।
२, विभिन्न मूल्याङ्कन गरिएको इनपुट करेन्ट र आउटपुट भोल्टेजमा अनुकूलन डिजाइन उपलब्ध छन्।
३, प्राथमिक प्वाल पूर्ण रूपमा भरिएको खण्डमा गतिशील प्रदर्शन उत्तम हुन्छ;
४, प्राथमिक कन्डक्टर <१००°C हुनुपर्छ;
