დარბაზის ეფექტის დენის სენსორი გაყოფილი ბირთვის გადამყვანი გამორჩეული სურათი

ჰოლის ეფექტის დენის სენსორის გაყოფის ბირთვის გადამყვანი

P/N: MLRH-2147

ძირითადი რეიტინგული დენი:20/50/100/200A/300A/400A

გამომავალი ძაბვა:ერთჯერადი სიმძლავრე 2.5+2V

ორმაგი სიმძლავრე:ორმაგი სიმძლავრე 0+4V

საიზოლაციო გაუძლო ძაბვას:3 კვ/1 წთ

ოპერაციული სიხშირე:50-60 ჰც

Ოპერაციული ტემპერატურა:40°C~+85C

იზოლაცია:ეპოქსიდური ფისი ინკაფსულირებული

გარე ყუთი:ცეცხლგამძლე PBT

განაცხადი:ცვლადი სიხშირის ელექტრომოწყობილობა, ინვერტორი, ცვლადი სიჩქარის AC/DC გადართვის რეჟიმის კვების წყაროები (SMPS), უწყვეტი კვების წყაროები (UPS)

იკითხე ახლავე შემდეგი პროდუქტი

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

აღწერა

Პროდუქტის სახელი	ჰოლის ეფექტის დენის სენსორის გაყოფის ბირთვის გადამყვანი
P/N	MLRH-2147
პირველადი რეიტინგული დენი	20/50/100/200A/300A/400A
გამომავალი ძაბვა	ერთჯერადი სიმძლავრე 2.5±2 ვ
ორმაგი სიმძლავრე	ორმაგი სიმძლავრე 0±4V
იზოლაცია უძლებს ძაბვას	3 კვ/1 წთ
ოპერაციული სიხშირე	50-60 ჰც
ოპერაციული ტემპერატურა	-40℃ ~ +85℃
იზოლაცია	ეპოქსიდური ფისი ინკაფსულირებული
გარე საქმე	ცეცხლგამძლე PBT
Aგანაცხადი	ცვლადი სიხშირის ელექტრო მოწყობილობები, ინვერტორი, ცვლადი სიჩქარის AC/DC გადართვის რეჟიმის კვების წყაროები (SMPS), უწყვეტი კვების წყაროები (UPS),

მახასიათებლები

მარტივი ინსტალაცია

ფანჯრის სტრუქტურა

დაბალი ენერგიის მოხმარება, ძალიან კარგი წრფივობა

მხოლოდ ერთი დიზაინი ფართო მიმდინარე რეიტინგების დიაპაზონისთვის

მაღალი იმუნიტეტი გარე ჩარევის მიმართ

ჩასმის დანაკარგები არ არის

Dual Power Hall დენის სენსორი

ელექტრული მონაცემები (Ta=25ºC±5ºC)

რეიტინგული შეყვანა	I_PN	20/50/100	A
საზომი დიაპაზონი	I_P	±30/±75/±150	A
გამომავალი ძაბვა	V_o	±4.0*(I_P/I_PN)	V
დატვირთვის წინააღმდეგობა	R_L	> 10	KΩ
მიწოდების ძაბვა	V_C	(±12 ～±15) ±5%	V
სიზუსტე	X_G	@IPN,T=25°C <±1.0	%
ოფსეტური ძაბვა	V_OE	@IP=0,T=25°C <±25	mV
ტემპერატურული ცვალებადობა V_OE	V_OT	@IP=0,-40 ~ +85°C <±1.0/ <±0.5/<±0.5	mV/℃
ტემპერატურული ცვალებადობა V_O	V_OS	@IP=IPN,-40 ~ +85°C <±2.5	%
ჰისტერეზის ოფსეტური ძაბვა	V_OH	@IP=0, 1*IPN-ის შემდეგ <±25	mV
წრფივი შეცდომა	ეr	< 1.0	%FS
di/dt		> 100	A/μs
Რეაგირების დრო	ტრა	IPN-ის 90% < 5.0	μs
Ენერგომოხმარება	IC	@+15V <23	mA
Ენერგომოხმარება	IC	@-15V <4.5	mA
გამტარუნარიანობა	BW	@-3dB,IPN DC-20	KHZ
საიზოლაციო ძაბვა	V_d	@50/60Hz, 1 წთ, AC, 1.5 mA 4.0	KV

ბეჭდის ტიპი ელექტრული მონაცემები: (Ta=25°C;Vc=+12.0VDC,RL=2KΩ)

Პარამეტრი		MLRH-50A/2V	MLRH-100A/2V	MLRH-200A/2V	MLRH-300A/2V	MLRH-400A/2V	ერთეული
რეიტინგული შეყვანა	I_PN	50	100	200	300	400	A
საზომი დიაპაზონი	I_P	0~±50	0~±100	0~±200	0~±300	0~±400	A
გამომავალი ძაბვა	Vo			2.500±2.0*(I_P/I_PN)			V
გამომავალი ძაბვა	Vo	@IP=0,T=25°C		2.500			V
დატვირთვის წინააღმდეგობა	R_L			>2			KΩ
მიწოდების ძაბვა	V_C			+12.0 ±5%			V
სიზუსტე	X_G	@I_PN,T=25°C		<±1.0			%
ოფსეტური ძაბვა	V_OE	@I_P=0,T=25°C		<±25			mV
ტემპერატურული ცვალებადობა V_OE	V_OT	@I_P=0,-40 ~ +85°C		<±1.0			mV/℃
ჰისტერეზის ოფსეტური ძაბვა	V_OH	@IP=0, 1*IPN-ის შემდეგ		<±20			mV
წრფივი შეცდომა	ეr			< 1.0			%FS
di/dt				> 100			A/µs
Რეაგირების დრო	ტრა	IPN-ის @90%.		< 3.0			μs
Ენერგომოხმარება	I_C			15			mA
გამტარუნარიანობა	BW	@-3dB,IPN		DC-20			KHZ
საიზოლაციო ძაბვა	Vd	@50/60Hz, 1წთ, AC		2.5			KV

ზოგადი მონაცემები:

参数 პარამეტრი	符号 სიმბოლო	数值 ღირებულება	单位 ერთეული
Ოპერაციული ტემპერატურა	T_A	-40 ~ +85	°C
Შენახვის ტემპერატურა	Ts	-55~ +125	°C
წონა	m	70	g
პლასტიკური მასალა	PBT G30/G15，UL94- V0;
სტანდარტები	IEC60950-1:2001
	EN50178:1998
	SJ20790-2000

ზომები (მმ):

შენიშვნები:

1, როდესაც დენი გაზომილი გადის სენსორის პირველადი პინში, ძაბვა გაზომილი იქნება გამომავალი ბოლოს.(შენიშვნა: ცრუ გაყვანილობამ შეიძლება გამოიწვიოს სენსორის დაზიანება).

2, საბაჟო დიზაინი ხელმისაწვდომია სხვადასხვა რეიტინგული შეყვანის დენით და გამომავალი ძაბვით.

3, დინამიური შესრულება საუკეთესოა, როდესაც პირველადი ხვრელი სრულად ივსება;

4, პირველადი გამტარი უნდა იყოს <100°C;

მართკუთხა ტიპი ელექტრული მონაცემები: (Ta=25°C;Vc=+12.0VDC,RL=2KΩ)

Პარამეტრი		MLRH-200A/2V	MLRH4-600A/2V	MLRH4-800A/2V	MLRH4-1000A/2V	MLRH4-1200A/2V	MLRH4-2000A/2V	ერთეული
რეიტინგული შეყვანა	IPN	200	600	800	1000	1200	2000 წ	A
საზომი დიაპაზონი	IP	0~±200	0~±600	0~±800	0~±1000	0~±1200	0~±2000	A
გამომავალი ძაბვა	Vo			2.500±2.0*(IP/IPN)				V
გამომავალი ძაბვა	Vo	@IP=0,T=25°C		2.500				V
დატვირთვის წინააღმდეგობა	RL			>2				KΩ
მიწოდების ძაბვა	VC			+12.0±5%				V
სიზუსტე	XG	@IPN,T=25°C		<±1.0				%
ოფსეტური ძაბვა	VOE	@IP=0,T=25°C		<±25				mV
VOE-ს ტემპერატურის ცვალებადობა	ხმის მიცემა	@IP=0,-40 ~ +85°C		<±1.0				mV/℃
ჰისტერეზის ოფსეტური ძაბვა	VOH	@IP=0, 1*IPN-ის შემდეგ		<±20				mV
წრფივი შეცდომა	ეr			< 1.0				%FS
di/dt				> 100				A/µs
Რეაგირების დრო	ტრა	IPN-ის @90%.		< 7.0				μs
Ენერგომოხმარება	IC			15				mA
გამტარუნარიანობა	BW	@-3dB,IPN		DC-20				KHZ
საიზოლაციო ძაბვა	Vd	@50/60Hz, 1წთ, AC		6.0				KV

ზოგადი მონაცემები:

参数 პარამეტრი	符号 სიმბოლო	数值 ღირებულება	单位 ერთეული
Ოპერაციული ტემპერატურა	TA	-40 ~ +85	°C
Შენახვის ტემპერატურა	Ts	-55~ +125	°C
წონა	m	200	g
პლასტიკური მასალა	PBT G30/G15，UL94- V0;
სტანდარტები	IEC60950-1:2001
	EN50178:1998
	SJ20790-2000