홀 효과 전류 센서 스플릿 코어 변환기
설명
| 상품명 | 홀 효과 전류 센서 스플릿 코어 변환기 |
| 부품번호 | MLRH-2147 |
| 1차 정격 전류 | 20/50/100/200A/300A/400A |
| 출력 전압 | 단일 전원 2.5±2V |
| 이중 전원 | 이중 전원 0±4V |
| 절연 내전압 | 3KV/1분 |
| 동작 주파수 | 50~60Hz |
| 작동 온도 | -40℃ ~ +85℃ |
| 단열재 | 캡슐화된 에폭시 수지 |
| 외부 케이스 | 난연성 PBT |
| A응용 | 가변 주파수 전기 제품, 인버터, AC/DC 가변 속도 드라이브 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS), 무정전 전원 공급 장치(UPS), |
특징
쉬운 설치
창 구조
낮은 전력 소비, 매우 우수한 선형성
넓은 정격 전류 범위를 위한 단 하나의 설계
외부 간섭에 대한 높은 내성
삽입 손실 없음
이중 전원 홀 전류 센서
전기 데이터(Ta=25°C±5°C)
| 정격 입력 | IPN | 20/50/100 | A |
| 측정 범위 | IP | ±30/±75/±150 | A |
| 출력 전압 | Vo | ±4.0*(나는P/IPN) | V |
| 부하 저항 | RL | >10 | KΩ |
| 전원 전압 | VC | (±12 ～±15) ±5% | V |
| 정확성 | XG | @IPN,T=25°C < ±1.0 | % |
| 오프셋 전압 | VOE | @IP=0,T=25°C < ±25 | mV |
| V의 온도 변화OE | VOT | @IP=0,-40 ~ +85°C < ±1.0/ < ±0.5/< ±0.5 | mV/℃ |
| V의 온도 변화O | VOS | @IP=IPN,-40 ~ +85°C < ±2.5 | % |
| 히스테리시스 오프셋 전압 | VOH | @IP=0, 1*IPN < ±25 이후 | mV |
| 선형성 오류 | 에르 | < 1.0 | %FS |
| 디/dt | > 100 | A/μs | |
| 응답 시간 | 트라 | IPN의 @90% < 5.0 | μs |
| 전력 소비 | IC | @+15V <23 | mA |
| @-15V <4.5 | mA | ||
| 대역폭 | BW | @-3dB,IPN DC-20 | KHZ |
| 절연전압 | Vd | @50/60Hz, 1분,AC,1.5mA 4.0 | KV |
링 유형 전기 데이터:(Ta=25°C, Vc=+12.0VDC,RL=2KΩ)
| 매개변수 | MLRH-50A/2V | MLRH-100A/2V | MLRH-200A/2V | MLRH-300A/2V | MLRH-400A/2V | 단위 | |
| 정격 입력 | IPN | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | A |
| 측정 범위 | IP | 0~±50 | 0~±100 | 0~±200 | 0~±300 | 0~±400 | A |
| 출력 전압 | Vo |
| 2.500±2.0*(나는P/IPN) |
| V | ||
| 출력 전압 | Vo | @IP=0,T=25°C | 2,500 |
| V | ||
| 부하 저항 | RL |
| >2 |
| KΩ | ||
| 전원 전압 | VC |
| +12.0 ±5% |
| V | ||
| 정확성 | XG | @IPN,T=25°C | < ±1.0 | % | |||
| 오프셋 전압 | VOE | @IP=0,T=25°C | < ±25 | mV | |||
| V의 온도 변화OE | VOT | @IP=0,-40 ~ +85°C | < ±1.0 | mV/℃ | |||
| 히스테리시스 오프셋 전압 | VOH | @IP=0,1*IPN 이후 | < ±20 | mV | |||
| 선형성 오류 | 에르 | < 1.0 | %FS | ||||
| 디/dt |
| > 100 | A/μs | ||||
| 응답 시간 | 트라 | @IPN의 90% | < 3.0 | µs | |||
| 전력 소비 | IC | 15 | mA | ||||
| 대역폭 | BW | @-3dB,IPN | DC-20 | KHZ | |||
| 절연전압 | Vd | @50/60Hz, 1분,AC | 2.5 | KV | |||
일반 데이터:
| 参数 매개변수 | 符号심볼 | 数值가치 | 单位단위 |
| 작동 온도 | TA | -40 ~ +85 | ℃ |
| 보관온도 | Ts | -55~ +125 | ℃ |
| 무게 | m | 70 | g |
| 플라스틱 소재 | PBT G30/G15,UL94-V0; | ||
| 표준 | IEC60950-1:2001 | ||
| EN50178:1998 | |||
| SJ20790-2000 | |||
치수(mm):
비고:
1, 측정할 전류가 센서의 기본 핀을 통과하면 출력 끝에서 전압이 측정됩니다.(참고: 잘못된 배선으로 인해 센서가 손상될 수 있습니다.)
2, 다양한 정격 입력 전류 및 출력 전압의 맞춤 설계가 가능합니다.
3, 기본 구멍이 완전히 채워지면 동적 성능이 가장 좋습니다.
4, 1차 도체는 100°C 미만이어야 합니다.
직사각형 유형 전기 데이터:(Ta=25°C, Vc=+12.0VDC,RL=2KΩ)
| 매개변수 | MLRH-200A/2V | MLRH4-600A/2V | MLRH4-800A/2V | MLRH4-1000A/2V | MLRH4-1200A/2V | MLRH4-2000A/2V | 단위 | |
| 정격 입력 | IPN | 200 | 600 | 800 | 1000 | 1200 | 2000 | A |
| 측정 범위 | IP | 0~±200 | 0~±600 | 0~±800 | 0~±1000 | 0~±1200 | 0~±2000 | A |
| 출력 전압 | Vo |
| 2.500±2.0*(IP/IPN) |
| V | |||
| 출력 전압 | Vo | @IP=0,T=25°C | 2,500 |
| V | |||
| 부하 저항 | RL |
| >2 |
| KΩ | |||
| 전원 전압 | VC |
| +12.0±5% |
| V | |||
| 정확성 | XG | @IPN,T=25°C | < ±1.0 | % | ||||
| 오프셋 전압 | VOE | @IP=0,T=25°C | < ±25 | mV | ||||
| VOE의 온도 변화 | 투표 | @IP=0,-40 ~ +85°C | < ±1.0 | mV/℃ | ||||
| 히스테리시스 오프셋 전압 | VOH | @IP=0,1*IPN 이후 | < ±20 | mV | ||||
| 선형성 오류 | 에르 | < 1.0 | %FS | |||||
| 디/dt |
| > 100 | A/μs | |||||
| 응답 시간 | 트라 | @IPN의 90% | < 7.0 | µs | ||||
| 전력 소비 | IC | 15 | mA | |||||
| 대역폭 | BW | @-3dB,IPN | DC-20 | KHZ | ||||
| 절연전압 | Vd | @50/60Hz, 1분,AC | 6.0 | KV | ||||
일반 데이터:
| 参数 매개변수 | 符号심볼 | 数值가치 | 单位단위 |
| 작동 온도 | TA | -40 ~ +85 | ℃ |
| 보관온도 | Ts | -55~ +125 | ℃ |
| 무게 | m | 200 | g |
| 플라스틱 소재 | PBT G30/G15,UL94-V0; | ||
| 표준 | IEC60950-1:2001 | ||
| EN50178:1998 | |||
| SJ20790-2000 | |||
치수(mm):
비고:
1, 측정할 전류가 센서의 기본 핀을 통과할 때 전압은 다음과 같습니다.
출력단에서 측정됩니다.(참고: 잘못된 배선으로 인해 센서가 손상될 수 있습니다.)
2, 다양한 정격 입력 전류 및 출력 전압의 맞춤 설계가 가능합니다.
3, 기본 구멍이 완전히 채워지면 동적 성능이 가장 좋습니다.
4, 1차 도체는 100°C 미만이어야 합니다.
