हॉल इफ़ेक्ट करंट सेंसर स्प्लिट कोर ट्रांसड्यूसर
विवरण
| प्रोडक्ट का नाम | हॉल इफ़ेक्ट करंट सेंसर स्प्लिट कोर ट्रांसड्यूसर |
| पी/एन | एमएलआरएच-2147 |
| प्राथमिक रेटेड वर्तमान | 20/50/100/200ए/300ए/400ए |
| आउटपुट वोल्टेज | सिंगल पावर 2.5±2V |
| दोहरी शक्ति | दोहरी शक्ति 0±4V |
| इन्सुलेशन वोल्टेज का सामना करता है | 3KV/1 मिनट |
| कार्यकारी आवृति | 50-60 हर्ट्ज |
| परिचालन तापमान | -40℃ ~ +85℃ |
| इन्सुलेशन | एपॉक्सी रेज़िन इनकैप्सुलेटेड |
| बाहरी मामला | ज्वाला मंदक पीबीटी |
| Aआवेदन | परिवर्तनीय आवृत्ति विद्युत उपकरण, इन्वर्टर, एसी/डीसी चर-गति ड्राइव स्विच्ड मोड पावर सप्लाई (एसएमपीएस), अनइंटरप्टिबल पावर सप्लाई (यूपीएस), |
विशेषताएँ
आसान स्थापना
खिड़की की संरचना
कम बिजली की खपत, बहुत अच्छी रैखिकता
विस्तृत वर्तमान रेटिंग रेंज के लिए केवल एक डिज़ाइन
बाहरी हस्तक्षेप के प्रति उच्च प्रतिरक्षा
कोई प्रविष्टि हानि नहीं
डुअल पावर हॉल करंट सेंसर
विद्युत डेटा (Ta=25ºC±5ºC)
| इनपुट श्रेणी निर्धारण | IPN | 20/50/100 | A |
| माप सीमा | IP | ±30/±75/±150 | A |
| आउटपुट वोल्टेज | Vo | ±4.0*(आईP/IPN) | V |
| भार प्रतिरोध | RL | >10 | KΩ |
| वोल्टेज आपूर्ति | VC | (±12 ～±15) ±5% | V |
| शुद्धता | XG | @IPN,T=25°C < ±1.0 | % |
| वोल्टेज समयोजन | VOE | @IP=0,T=25°C < ±25 | mV |
| वी. का तापमान भिन्नताOE | VOT | @आईपी=0,-40 ~ +85°C < ±1.0/ < ±0.5/< ±0.5 | एमवी/℃ |
| वी. का तापमान भिन्नताO | VOS | @आईपी=आईपीएन,-40 ~ +85°C < ±2.5 | % |
| हिस्टैरिसीस ऑफसेट वोल्टेज | VOH | @आईपी=0, 1*आईपीएन < ±25 के बाद | mV |
| रैखिकता त्रुटि | εr | <1.0 | %एफएस |
| डि/डीटी | > 100 | ए/μs | |
| प्रतिक्रिया समय | ट्रा | @90% आईपीएन <5.0 | μs |
| बिजली की खपत | IC | @+15वी <23 | mA |
| @-15वी <4.5 | mA | ||
| बैंडविड्थ | BW | @-3डीबी,आईपीएन डीसी-20 | KHZ |
| इन्सुलेशन वोल्टेज | Vd | @50/60 हर्ट्ज़, 1 मिनट, एसी, 1.5एमए 4.0 | KV |
रिंग प्रकार विद्युत डेटा：（Ta=25°C，Vc=+12.0VDC,RL=2KΩ）
| पैरामीटर | एमएलआरएच-50ए/2वी | एमएलआरएच-100ए/2वी | एमएलआरएच-200ए/2वी | एमएलआरएच-300ए/2वी | एमएलआरएच-400ए/2वी | इकाई | |
| इनपुट श्रेणी निर्धारण | IPN | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | A |
| माप सीमा | IP | 0～±50 | 0～±100 | 0～±200 | 0～±300 | 0～±400 | A |
| आउटपुट वोल्टेज | Vo |
| 2.500±2.0*(आईP/IPN) |
| V | ||
| आउटपुट वोल्टेज | Vo | @IP=0,T=25°C | 2.500 |
| V | ||
| भार प्रतिरोध | RL |
| >2 |
| KΩ | ||
| वोल्टेज आपूर्ति | VC |
| +12.0 ±5% |
| V | ||
| शुद्धता | XG | @IPN,T=25°C | <±1.0 | % | |||
| वोल्टेज समयोजन | VOE | @IP=0,T=25°C | <±25 | mV | |||
| वी. का तापमान भिन्नताOE | VOT | @IP=0,-40 ~ +85°C | <±1.0 | एमवी/℃ | |||
| हिस्टैरिसीस ऑफसेट वोल्टेज | VOH | @आईपी=0, 1*आईपीएन के बाद | <±20 | mV | |||
| रैखिकता त्रुटि | εr | <1.0 | %एफएस | ||||
| डि/डीटी |
| > 100 | ए/μs | ||||
| प्रतिक्रिया समय | ट्रा | @90% आईपीएन | <3.0 | μS | |||
| बिजली की खपत | IC | 15 | mA | ||||
| बैंडविड्थ | BW | @-3डीबी,आईपीएन | डीसी-20 | KHZ | |||
| इन्सुलेशन वोल्टेज | Vd | @50/60 हर्ट्ज़, 1 मिनट, एसी | 2.5 | KV | |||
सामान्य डेटा:
| 参数पैरामीटर | 符号प्रतीक | 数值मूल्य | 单位यूनिट |
| परिचालन तापमान | TA | -40 ~ +85 | डिग्री सेल्सियस |
| भंडारण तापमान | Ts | -55~+125 | डिग्री सेल्सियस |
| वज़न | m | 70 | g |
| प्लास्टिक मटीरियल | PBT G30/G15，UL94- V0; | ||
| मानकों | आईईसी60950-1:2001 | ||
| EN50178:1998 | |||
| एसजे20790-2000 | |||
आयाम (मिमी):
टिप्पणी:
1,जब करंट मापा जाएगा तो यह सेंसर के प्राथमिक पिन से होकर गुजरेगा, वोल्टेज को आउटपुट छोर पर मापा जाएगा।(नोट: झूठी वायरिंग के परिणामस्वरूप सेंसर को नुकसान हो सकता है)।
2, विभिन्न रेटेड इनपुट करंट और आउटपुट वोल्टेज में कस्टम डिज़ाइन उपलब्ध हैं।
3, गतिशील प्रदर्शन सबसे अच्छा होता है जब प्राथमिक छेद पूरी तरह से भर जाता है;
4, प्राथमिक कंडक्टर <100°C होना चाहिए;
आयताकार प्रकार विद्युत डेटा：（Ta=25°C，Vc=+12.0VDC,RL=2KΩ）
| पैरामीटर | एमएलआरएच-200ए/2वी | एमएलआरएच4-600ए/2वी | एमएलआरएच4-800ए/2वी | एमएलआरएच4-1000ए/2वी | एमएलआरएच4-1200ए/2वी | एमएलआरएच4-2000ए/2वी | इकाई | |
| इनपुट श्रेणी निर्धारण | आईपीएन | 200 | 600 | 800 | 1000 | 1200 | 2000 | A |
| माप सीमा | IP | 0～±200 | 0～±600 | 0～±800 | 0～±1000 | 0～±1200 | 0～±2000 | A |
| आउटपुट वोल्टेज | Vo |
| 2.500±2.0*(आईपी/आईपीएन) |
| V | |||
| आउटपुट वोल्टेज | Vo | @IP=0,T=25°C | 2.500 |
| V | |||
| भार प्रतिरोध | RL |
| >2 |
| KΩ | |||
| वोल्टेज आपूर्ति | VC |
| +12.0±5% |
| V | |||
| शुद्धता | XG | @IPN,T=25°C | <±1.0 | % | ||||
| वोल्टेज समयोजन | वीओई | @IP=0,T=25°C | <±25 | mV | ||||
| वीओई का तापमान भिन्नता | मतदान | @आईपी=0,-40 ~ +85°C | <±1.0 | एमवी/℃ | ||||
| हिस्टैरिसीस ऑफसेट वोल्टेज | वोह | @आईपी=0, 1*आईपीएन के बाद | <±20 | mV | ||||
| रैखिकता त्रुटि | εr | <1.0 | %एफएस | |||||
| डि/डीटी |
| > 100 | ए/μs | |||||
| प्रतिक्रिया समय | ट्रा | @90% आईपीएन | <7.0 | μS | ||||
| बिजली की खपत | IC | 15 | mA | |||||
| बैंडविड्थ | BW | @-3डीबी,आईपीएन | डीसी-20 | KHZ | ||||
| इन्सुलेशन वोल्टेज | Vd | @50/60 हर्ट्ज़, 1 मिनट, एसी | 6.0 | KV | ||||
सामान्य डेटा:
| 参数पैरामीटर | 符号प्रतीक | 数值मूल्य | 单位यूनिट |
| परिचालन तापमान | TA | -40 ~ +85 | डिग्री सेल्सियस |
| भंडारण तापमान | Ts | -55~+125 | डिग्री सेल्सियस |
| वज़न | m | 200 | g |
| प्लास्टिक मटीरियल | PBT G30/G15，UL94- V0; | ||
| मानकों | आईईसी60950-1:2001 | ||
| EN50178:1998 | |||
| एसजे20790-2000 | |||
आयाम (मिमी):
टिप्पणी:
1, जब करंट मापा जाएगा तो सेंसर के प्राथमिक पिन से होकर गुजरेगा, वोल्टेज होगा
आउटपुट छोर पर मापा गया। (नोट: गलत वायरिंग के परिणामस्वरूप सेंसर को नुकसान हो सकता है)।
2, विभिन्न रेटेड इनपुट करंट और आउटपुट वोल्टेज में कस्टम डिज़ाइन उपलब्ध हैं।
3, गतिशील प्रदर्शन सबसे अच्छा होता है जब प्राथमिक छेद पूरी तरह से भर जाता है;
4, प्राथमिक कंडक्टर <100°C होना चाहिए;
