हॉल इफेक्ट करंट सेन्सर स्प्लिट कोर ट्रान्सड्यूसर
वर्णन
| उत्पादनाचे नांव | हॉल इफेक्ट करंट सेन्सर स्प्लिट कोर ट्रान्सड्यूसर |
| P/N | MLRH-2147 |
| प्राथमिक रेट केलेले वर्तमान | 20/50/100/200A/300A/400A |
| आउटपुट व्होल्टेज | सिंगल पॉवर 2.5±2V |
| दुहेरी शक्ती | ड्युअल पॉवर 0±4V |
| इन्सुलेशन व्होल्टेज सहन करते | 3KV/1मि |
| ऑपरेटिंग वारंवारता | 50-60Hz |
| कार्यशील तापमान | -40℃ ~ +85℃ |
| इन्सुलेशन | Epoxy राळ encapsulated |
| बाह्य केस | फ्लेम रिटार्डंट पीबीटी |
| Aअर्ज | व्हेरिएबल फ्रिक्वेन्सी इलेक्ट्रिकल उपकरणे, इन्व्हर्टर, एसी/डीसी व्हेरिएबल-स्पीड ड्राइव्ह स्विच मोड पॉवर सप्लाय (SMPS), अनइंटरप्टिबल पॉवर सप्लाय (UPS), |
वैशिष्ट्ये
सोपे प्रतिष्ठापन
खिडकीची रचना
कमी उर्जा वापर, खूप चांगली रेखीयता
विस्तृत वर्तमान रेटिंग श्रेणीसाठी फक्त एक डिझाइन
बाह्य हस्तक्षेपासाठी उच्च प्रतिकारशक्ती
प्रवेशाचे कोणतेही नुकसान नाही
ड्युअल पॉवर हॉल वर्तमान सेन्सर
इलेक्ट्रिकल डेटा (Ta=25ºC±5ºC)
| रेट केलेले इनपुट | IPN | 20/50/100 | A |
| मापन श्रेणी | IP | ±३०/±७५/±१५० | A |
| आउटपुट व्होल्टेज | Vo | ±4.0*(IP/IPN) | V |
| लोड प्रतिकार | RL | >१० | KΩ |
| पुरवठा व्होल्टेज | VC | (±12 ～±15) ±5% | V |
| अचूकता | XG | @IPN,T=25°C < ±1.0 | % |
| ऑफसेट व्होल्टेज | VOE | @IP=0,T=25°C < ±25 | mV |
| V चे तापमान भिन्नताOE | VOT | @IP=0,-40 ~ +85°C < ±1.0/ < ±0.5/< ±0.5 | mV/℃ |
| V चे तापमान भिन्नताO | VOS | @IP=IPN,-40 ~ +85°C < ±2.5 | % |
| हिस्टेरेसिस ऑफसेट व्होल्टेज | VOH | @IP=0, 1*IPN < ±25 नंतर | mV |
| रेखीयता त्रुटी | εr | < 1.0 | %FS |
| di/dt | > 100 | A/μs | |
| प्रतिसाद वेळ | tra | @90% IPN < 5.0 | μs |
| वीज वापर | IC | @+15V <23 | mA |
| @-15V <4.5 | mA | ||
| बँडविड्थ | BW | @-3dB, IPN DC-20 | KHZ |
| इन्सुलेशन व्होल्टेज | Vd | @50/60Hz, 1min,AC ,1.5mA 4.0 | KV |
रिंग प्रकार इलेक्ट्रिकल डेटा: (Ta=25°C,Vc=+12.0VDC,RL=2KΩ）)
| पॅरामीटर | MLRH-50A/2V | MLRH-100A/2V | MLRH-200A/2V | MLRH-300A/2V | MLRH-400A/2V | युनिट | |
| रेट केलेले इनपुट | IPN | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | A |
| मापन श्रेणी | IP | 0～±50 | 0～±100 | 0～±200 | 0～±300 | 0～±400 | A |
| आउटपुट व्होल्टेज | Vo |
| 2.500±2.0*(IP/IPN) |
| V | ||
| आउटपुट व्होल्टेज | Vo | @IP=0,T=25°C | 2.500 |
| V | ||
| लोड प्रतिकार | RL |
| >2 |
| KΩ | ||
| पुरवठा व्होल्टेज | VC |
| +१२.० ±५% |
| V | ||
| अचूकता | XG | @IPN,T=25°C | < ±1.0 | % | |||
| ऑफसेट व्होल्टेज | VOE | @IP=0,T=25°C | < ±25 | mV | |||
| V चे तापमान भिन्नताOE | VOT | @IP=0,-40 ~ +85°C | < ±1.0 | mV/℃ | |||
| हिस्टेरेसिस ऑफसेट व्होल्टेज | VOH | @IP=0, 1*IPN नंतर | < ±20 | mV | |||
| रेखीयता त्रुटी | εr | < 1.0 | %FS | ||||
| di/dt |
| > 100 | A/µs | ||||
| प्रतिसाद वेळ | tra | @90% IPN | < ३.० | µs | |||
| वीज वापर | IC | 15 | mA | ||||
| बँडविड्थ | BW | @-3dB,IPN | DC-20 | KHZ | |||
| इन्सुलेशन व्होल्टेज | Vd | @50/60Hz, 1 मिनिट, AC | 2.5 | KV | |||
सामान्य माहिती:
| 参数 पॅरामीटर | 符号प्रतीक | 数值मूल्य | 单位युनिट |
| कार्यशील तापमान | TA | -40 ~ +85 | °C |
| स्टोरेज तापमान | Ts | -५५~ +१२५ | °C |
| वजन | m | 70 | g |
| प्लास्टिक साहित्य | PBT G30/G15，UL94- V0; | ||
| मानके | IEC60950-1:2001 | ||
| EN50178:1998 | |||
| SJ20790-2000 | |||
परिमाण (मिमी):
टिप्पण्या:
1,सेन्सरच्या प्राथमिक पिनमधून जेव्हा विद्युतप्रवाह मोजला जाईल तेव्हा आउटपुटच्या शेवटी व्होल्टेज मोजले जाईल.(टीप: खोट्या वायरिंगमुळे सेन्सरचे नुकसान होऊ शकते).
2, भिन्न रेट केलेले इनपुट प्रवाह आणि आउटपुट व्होल्टेजमधील सानुकूल डिझाइन उपलब्ध आहेत.
3, प्राथमिक भोक पूर्णपणे भरल्यास डायनॅमिक कामगिरी सर्वोत्तम असते;
4, प्राथमिक कंडक्टर <100°C असावा;
आयताकृती प्रकार इलेक्ट्रिकल डेटा: (Ta=25°C,Vc=+12.0VDC,RL=2KΩ）
| पॅरामीटर | एमएलआरएच-200A/2V | एमएलआरएच4-600A/2V | एमएलआरएच4-800A/2V | एमएलआरएच4-1000A/2V | एमएलआरएच4-1200A/2V | एमएलआरएच4-2000A/2V | युनिट | |
| रेट केलेले इनपुट | IPN | 200 | 600 | 800 | 1000 | १२०० | 2000 | A |
| मापन श्रेणी | IP | 0～±200 | 0～±600 | 0～±800 | 0～±1000 | 0～±1200 | 0～±2000 | A |
| आउटपुट व्होल्टेज | Vo |
| 2.500±2.0*(IP/IPN) |
| V | |||
| आउटपुट व्होल्टेज | Vo | @IP=0,T=25°C | 2.500 |
| V | |||
| लोड प्रतिकार | RL |
| >2 |
| KΩ | |||
| पुरवठा व्होल्टेज | VC |
| +१२.०±५% |
| V | |||
| अचूकता | XG | @IPN,T=25°C | < ±1.0 | % | ||||
| ऑफसेट व्होल्टेज | VOE | @IP=0,T=25°C | < ±25 | mV | ||||
| VOE चे तापमान भिन्नता | VOT | @IP=0,-40 ~ +85°C | < ±1.0 | mV/℃ | ||||
| हिस्टेरेसिस ऑफसेट व्होल्टेज | VOH | @IP=0, 1*IPN नंतर | < ±20 | mV | ||||
| रेखीयता त्रुटी | εr | < 1.0 | %FS | |||||
| di/dt |
| > 100 | A/µs | |||||
| प्रतिसाद वेळ | tra | @90% IPN | < ७.० | µs | ||||
| वीज वापर | IC | 15 | mA | |||||
| बँडविड्थ | BW | @-3dB,IPN | DC-20 | KHZ | ||||
| इन्सुलेशन व्होल्टेज | Vd | @50/60Hz, 1 मिनिट, AC | ६.० | KV | ||||
सामान्य माहिती:
| 参数 पॅरामीटर | 符号प्रतीक | 数值मूल्य | 单位युनिट |
| कार्यशील तापमान | TA | -40 ~ +85 | °C |
| स्टोरेज तापमान | Ts | -५५~ +१२५ | °C |
| वजन | m | 200 | g |
| प्लास्टिक साहित्य | PBT G30/G15，UL94- V0; | ||
| मानके | IEC60950-1:2001 | ||
| EN50178:1998 | |||
| SJ20790-2000 | |||
परिमाण (मिमी):
टिप्पण्या:
1, सेन्सरच्या प्राथमिक पिनमधून विद्युत प्रवाह मोजला जाईल तेव्हा व्होल्टेज असेल
आउटपुटच्या शेवटी मोजले जाते. (टीप: खोट्या वायरिंगमुळे सेन्सरचे नुकसान होऊ शकते).
2, भिन्न रेट केलेले इनपुट वर्तमान आणि आउटपुट व्होल्टेजमधील सानुकूल डिझाइन उपलब्ध आहेत.
3, प्राथमिक भोक पूर्णपणे भरल्यास डायनॅमिक कामगिरी सर्वोत्तम असते;
4, प्राथमिक कंडक्टर <100°C असावा;
