हॉल इफेक्ट करंट सेन्सर स्प्लिट कोर ट्रान्सड्यूसर
वर्णन
| उत्पादनाचे नाव | हॉल इफेक्ट करंट सेन्सर स्प्लिट कोर ट्रान्सड्यूसर |
| पी/एन | एमएलआरएच-२१४७ |
| प्राथमिक रेटेड करंट | २०/५०/१००/२००अ/३००अ/४००अ |
| आउटपुट व्होल्टेज | सिंगल पॉवर २.५±२V |
| दुहेरी शक्ती | ड्युअल पॉवर ०±४ व्ही |
| इन्सुलेशन व्होल्टेज सहन करते | ३ केव्ही/१ मिनिट |
| ऑपरेटिंग वारंवारता | ५०-६० हर्ट्झ |
| ऑपरेटिंग तापमान | -४०℃ ~ +८५℃ |
| इन्सुलेशन | एपॉक्सी रेझिन कॅप्सूल केलेले |
| बाह्य केस | ज्वालारोधक पीबीटी |
| Aवापर | परिवर्तनीय वारंवारता विद्युत उपकरणे, इन्व्हर्टर, एसी/डीसी परिवर्तनीय-स्पीड ड्राइव्ह स्विच्ड मोड पॉवर सप्लाय (SMPS), अखंड वीज सप्लाय (UPS), |
वैशिष्ट्ये
सोपी स्थापना
खिडकीची रचना
कमी वीज वापर, खूप चांगली रेषीयता
विस्तृत वर्तमान रेटिंग श्रेणीसाठी फक्त एक डिझाइन
बाह्य हस्तक्षेपासाठी उच्च प्रतिकारशक्ती
कोणतेही इन्सर्शन लॉस नाहीत
ड्युअल पॉवर हॉल करंट सेन्सर
इलेक्ट्रिकल डेटा (Ta=25ºC±5ºC)
| रेट केलेले इनपुट | IPN | २०/५०/१०० | A |
| मोजमाप श्रेणी | IP | ±३०/±७५/±१५० | A |
| आउटपुट व्होल्टेज | Vo | ±४.०*(मीP/IPN) | V |
| भार प्रतिकार | RL | >१० | केΩ |
| पुरवठा व्होल्टेज | VC | （±१२ ～±१५） ±५% | V |
| अचूकता | XG | @IPN,T=२५°C <±१.० | % |
| ऑफसेट व्होल्टेज | VOE | @IP=०,T=२५°C <±२५ | mV |
| तापमानातील फरक VOE | VOT | @IP=०,-४० ~ +८५°C <±१.०/ <±०.५/< ±०.५ | एमव्ही/℃ |
| तापमानातील फरक VO | VOS | @IP=IPN, -४० ~ +८५°C <±२.५ | % |
| हिस्टेरेसिस ऑफसेट व्होल्टेज | VOH | @IP=0, १*IPN नंतर <±२५ | mV |
| रेषीयता त्रुटी | εr | < १.० | %एफएस |
| दि/तारीख | > १०० | अ/μs | |
| प्रतिसाद वेळ | ट्रॅ | आयपीएनच्या ९०% < ५.० | मायक्रोसेकंद |
| वीज वापर | IC | @+१५ व्ही <२३ | mA |
| @-१५ व्ही <४.५ | mA | ||
| बँडविड्थ | BW | @-३डीबी, आयपीएन डीसी-२० | केएचझेड |
| इन्सुलेशन व्होल्टेज | Vd | @५०/६० हर्ट्झ, १ मिनिट, एसी, १.५ एमए ४.० | KV |
रिंग प्रकार विद्युत डेटा: (ता = २५°C, व्हीसी = +१२.०VDC, आरएल = २केΩ)
| पॅरामीटर | एमएलआरएच-५०ए/२व्ही साठी चौकशी सबमिट करा, आम्ही तुमच्याशी २४ तासांत संपर्क करू. | एमएलआरएच-१००ए/२व्ही साठी चौकशी सबमिट करा, आम्ही तुमच्याशी २४ तासांत संपर्क करू. | एमएलआरएच-२००ए/२व्ही साठी चौकशी सबमिट करा, आम्ही तुमच्याशी २४ तासांत संपर्क करू. | एमएलआरएच-३००ए/२व्ही साठी चौकशी सबमिट करा, आम्ही तुमच्याशी २४ तासांत संपर्क करू. | एमएलआरएच-४००ए/२व्ही साठी चौकशी सबमिट करा, आम्ही तुमच्याशी २४ तासांत संपर्क करू. | युनिट | |
| रेट केलेले इनपुट | IPN | 50 | १०० | २०० | ३०० | ४०० | A |
| मोजमाप श्रेणी | IP | ०～±५० | ०～±१०० | ०～±२०० | ०～±३०० | ०～±४०० | A |
| आउटपुट व्होल्टेज | Vo |
| २.५००±२.०*(मीP/IPN) |
| V | ||
| आउटपुट व्होल्टेज | Vo | @IP=०,T=२५°C | २,५०० |
| V | ||
| भार प्रतिकार | RL |
| >२ |
| केΩ | ||
| पुरवठा व्होल्टेज | VC |
| +१२.० ±५% |
| V | ||
| अचूकता | XG | @IPN,टी = २५°से | <±१.० | % | |||
| ऑफसेट व्होल्टेज | VOE | @IP=०, टी=२५°से | <±२५ | mV | |||
| तापमानातील फरक VOE | VOT | @IP=०,-४० ~ +८५°से | <±१.० | एमव्ही/℃ | |||
| हिस्टेरेसिस ऑफसेट व्होल्टेज | VOH | @IP=0, १*IPN नंतर | <±२० | mV | |||
| रेषीयता त्रुटी | εr | < १.० | %एफएस | ||||
| दि/तारीख |
| > १०० | अ/µs | ||||
| प्रतिसाद वेळ | ट्रॅ | आयपीएनच्या ९०% | < ३.० | μs | |||
| वीज वापर | IC | 15 | mA | ||||
| बँडविड्थ | BW | @-३डेसीबिट, आयपीएन | डीसी-२० | केएचझेड | |||
| इन्सुलेशन व्होल्टेज | Vd | @५०/६० हर्ट्झ, १ मिनिट, एसी | २.५ | KV | |||
सामान्य माहिती:
| 参数 पॅरामीटर | 符号प्रतीक | 数值मूल्य | 单位युनिट |
| ऑपरेटिंग तापमान | TA | -४० ~ +८५ | °से |
| साठवण तापमान | Ts | -५५~ +१२५ | °से |
| वजन | m | 70 | g |
| प्लास्टिक साहित्य | पीबीटी जी३०/जी१५, यूएल९४- व्ही०; | ||
| मानके | आयईसी६०९५०-१:२००१ | ||
| EN50178:1998 | |||
| एसजे२०७९०-२००० | |||
परिमाणे (मिमी):
टिपा:
१, जेव्हा मोजले जाणारे विद्युतप्रवाह सेन्सरच्या प्राथमिक पिनमधून जातो तेव्हा आउटपुट एंडवर व्होल्टेज मोजले जाईल. (टीप: खोट्या वायरिंगमुळे सेन्सरचे नुकसान होऊ शकते).
२, वेगवेगळ्या रेट केलेल्या इनपुट करंट आणि आउटपुट व्होल्टेजमध्ये कस्टम डिझाइन उपलब्ध आहे.
३, प्राथमिक छिद्र पूर्णपणे भरले असल्यास गतिमान कामगिरी सर्वोत्तम असते;
४, प्राथमिक वाहक <१००°C असावा;
आयताकृती प्रकार विद्युत डेटा: (ता = २५°C, व्हीसी = +१२.०VDC, आरएल = २केΩ)
| पॅरामीटर | एमएलआरएच-२०० अ/२ व्ही | एमएलआरएच४-६००अ/२व्ही | एमएलआरएच४-८००अ/२व्ही | एमएलआरएच४-१०००अ/२व्ही | एमएलआरएच४-१२००अ/२व्ही | एमएलआरएच४-२०००अ/२व्ही | युनिट | |
| रेट केलेले इनपुट | आयपीएन | २०० | ६०० | ८०० | १००० | १२०० | २००० | A |
| मोजमाप श्रेणी | IP | ०～±२०० | ०～±६०० | ०～±८०० | ०～±१००० | ०～±१२०० | ०～±२००० | A |
| आउटपुट व्होल्टेज | Vo |
| २.५००±२.०*(आयपी/आयपीएन) |
| V | |||
| आउटपुट व्होल्टेज | Vo | @IP=०,T=२५°C | २,५०० |
| V | |||
| भार प्रतिकार | RL |
| >२ |
| केΩ | |||
| पुरवठा व्होल्टेज | VC |
| +१२.०±५% |
| V | |||
| अचूकता | XG | @IPN,T=२५°C | <±१.० | % | ||||
| ऑफसेट व्होल्टेज | व्हीओई | @IP=०,T=२५°C | <±२५ | mV | ||||
| VOE चे तापमानातील फरक | मतदान | @IP=०,-४० ~ +८५°C | <±१.० | एमव्ही/℃ | ||||
| हिस्टेरेसिस ऑफसेट व्होल्टेज | व्हीओएच | @IP=0, १*IPN नंतर | <±२० | mV | ||||
| रेषीयता त्रुटी | εr | < १.० | %एफएस | |||||
| दि/तारीख |
| > १०० | अ/µs | |||||
| प्रतिसाद वेळ | ट्रॅ | आयपीएनच्या ९०% | < ७.० | μs | ||||
| वीज वापर | IC | 15 | mA | |||||
| बँडविड्थ | BW | @-३डेसीबिट, आयपीएन | डीसी-२० | केएचझेड | ||||
| इन्सुलेशन व्होल्टेज | Vd | @५०/६० हर्ट्झ, १ मिनिट, एसी | ६.० | KV | ||||
सामान्य माहिती:
| 参数 पॅरामीटर | 符号प्रतीक | 数值मूल्य | 单位युनिट |
| ऑपरेटिंग तापमान | TA | -४० ~ +८५ | °से |
| साठवण तापमान | Ts | -५५~ +१२५ | °से |
| वजन | m | २०० | g |
| प्लास्टिक साहित्य | पीबीटी जी३०/जी१५, यूएल९४- व्ही०; | ||
| मानके | आयईसी६०९५०-१:२००१ | ||
| EN50178:1998 | |||
| एसजे२०७९०-२००० | |||
परिमाणे (मिमी):
टिपा:
१, जेव्हा मोजला जाणारा विद्युत प्रवाह सेन्सरच्या प्राथमिक पिनमधून जातो, तेव्हा व्होल्टेज असेल
आउटपुट एंडवर मोजले जाते. (टीप: खोट्या वायरिंगमुळे सेन्सरचे नुकसान होऊ शकते).
२, वेगवेगळ्या रेट केलेल्या इनपुट करंट आणि आउटपुट व्होल्टेजमध्ये कस्टम डिझाइन उपलब्ध आहे.
३, प्राथमिक छिद्र पूर्णपणे भरले असल्यास गतिमान कामगिरी सर्वोत्तम असते;
४, प्राथमिक वाहक <१००°C असावा;
