OEM अनुकूलित चीन अच्छा संगति मल्टीलेयर हनीकॉम्ब प्रकार 100ए 0.1 क्लास डीसी इम्यून करंट ट्रांसफार्मर
हम जानते हैं कि हम तभी सफल होंगे जब हम ओईएम कस्टमाइज्ड चाइना गुड कंसिस्टेंसी मल्टीलेयर हनीकॉम्ब टाइप 100ए 0.1 क्लास डीसी इम्यून करंट ट्रांसफार्मर के लिए एक ही समय में अपनी संयुक्त लागत प्रतिस्पर्धात्मकता और उच्च-गुणवत्ता की आसानी से गारंटी दे सकें, हमारा संगठन इस बात के लिए समर्पित रहा है कि "ग्राहक पहले" ” और ग्राहकों को उनके छोटे व्यवसाय का विस्तार करने में मदद करने के लिए प्रतिबद्ध हैं, ताकि वे बिग बॉस बन सकें!
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विवरण
| प्रोडक्ट का नाम | हॉल इफ़ेक्ट करंट सेंसर स्प्लिट कोर ट्रांसड्यूसर |
| पी/एन | एमएलआरएच-2147 |
| प्राथमिक रेटेड वर्तमान | 20/50/100/200ए/300ए/400ए |
| आउटपुट वोल्टेज | सिंगल पावर 2.5±2V |
| दोहरी शक्ति | दोहरी शक्ति 0±4V |
| इन्सुलेशन वोल्टेज का सामना करता है | 3KV/1 मिनट |
| कार्यकारी आवृति | 50-60 हर्ट्ज |
| परिचालन तापमान | -40℃ ~ +85℃ |
| इन्सुलेशन | एपॉक्सी रेज़िन इनकैप्सुलेटेड |
| बाहरी मामला | ज्वाला मंदक पीबीटी |
| Aआवेदन | परिवर्तनीय आवृत्ति विद्युत उपकरण, इन्वर्टर, एसी/डीसी वैरिएबल-स्पीड ड्राइवस्विच्ड मोड पावर सप्लाई (एसएमपीएस), अनइंटरप्टिबल पावर सप्लाई (यूपीएस) |
विशेषताएँ
आसान स्थापना
खिड़की की संरचना
कम बिजली की खपत, बहुत अच्छी रैखिकता
विस्तृत वर्तमान रेटिंग रेंज के लिए केवल एक डिज़ाइन
बाहरी हस्तक्षेप के प्रति उच्च प्रतिरक्षा
कोई प्रविष्टि हानि नहीं
डुअल पावर हॉल करंट सेंसर
विद्युत डेटा (Ta=25ºC±5ºC)
| इनपुट श्रेणी निर्धारण | IPN | 20/50/100 | A |
| माप सीमा | IP | ±30/±75/±150 | A |
| आउटपुट वोल्टेज | Vo | ±4.0*(आईP/IPN) | V |
| भार प्रतिरोध | RL | >10 | KΩ |
| वोल्टेज आपूर्ति | VC | (±12 ～±15) ±5% | V |
| शुद्धता | XG | @IPN,T=25°C < ±1.0 | % |
| वोल्टेज समयोजन | VOE | @IP=0,T=25°C < ±25 | mV |
| वी. का तापमान भिन्नताOE | VOT | @आईपी=0,-40 ~ +85°C < ±1.0/< ±0.5/< ±0.5 | एमवी/℃ |
| वी. का तापमान भिन्नताO | VOS | @आईपी=आईपीएन,-40 ~ +85°C < ±2.5 | % |
| हिस्टैरिसीस ऑफसेट वोल्टेज | VOH | @आईपी=0, 1*आईपीएन < ±25 के बाद | mV |
| रैखिकता त्रुटि | εr | <1.0 | %एफएस |
| डि/डीटी | > 100 | ए/μs | |
| प्रतिक्रिया समय | ट्रा | @90% आईपीएन <5.0 | μs |
| बिजली की खपत | IC | @+15वी <23 | mA |
| @-15वी <4.5 | mA | ||
| बैंडविड्थ | BW | @-3डीबी,आईपीएन डीसी-20 | KHZ |
| इन्सुलेशन वोल्टेज | Vd | @50/60 हर्ट्ज़, 1 मिनट, एसी, 1.5एमए 4.0 | KV |
रिंग प्रकार विद्युत डेटा：（Ta=25°C，Vc=+12.0VDC,RL=2KΩ）
| पैरामीटर | एमएलआरएच-50ए/2वी | एमएलआरएच-100ए/2वी | एमएलआरएच-200ए/2वी | एमएलआरएच-300ए/2वी | एमएलआरएच-400ए/2वी | इकाई | |
| इनपुट श्रेणी निर्धारण | IPN | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | A |
| माप सीमा | IP | 0～±50 | 0～±100 | 0～±200 | 0～±300 | 0～±400 | A |
| आउटपुट वोल्टेज | Vo |
| 2.500±2.0*(आईP/IPN) |
| V | ||
| आउटपुट वोल्टेज | Vo | @IP=0,T=25°C | 2.500 |
| V | ||
| भार प्रतिरोध | RL |
| >2 |
| KΩ | ||
| वोल्टेज आपूर्ति | VC |
| +12.0 ±5% |
| V | ||
| शुद्धता | XG | @IPN,T=25°C | <±1.0 | % | |||
| वोल्टेज समयोजन | VOE | @IP=0,T=25°C | <±25 | mV | |||
| वी. का तापमान भिन्नताOE | VOT | @IP=0,-40 ~ +85°C | <±1.0 | एमवी/℃ | |||
| हिस्टैरिसीस ऑफसेट वोल्टेज | VOH | @आईपी=0, 1*आईपीएन के बाद | <±20 | mV | |||
| रैखिकता त्रुटि | εr | <1.0 | %एफएस | ||||
| डि/डीटी |
| > 100 | ए/μs | ||||
| प्रतिक्रिया समय | ट्रा | @90% आईपीएन | <3.0 | μS | |||
| बिजली की खपत | IC | 15 | mA | ||||
| बैंडविड्थ | BW | @-3डीबी,आईपीएन | डीसी-20 | KHZ | |||
| इन्सुलेशन वोल्टेज | Vd | @50/60 हर्ट्ज़, 1 मिनट, एसी | 2.5 | KV | |||
सामान्य डेटा:
| 参数पैरामीटर | 符号प्रतीक | 数值मूल्य | 单位यूनिट |
| परिचालन तापमान | TA | -40 ~ +85 | डिग्री सेल्सियस |
| भंडारण तापमान | Ts | -55~+125 | डिग्री सेल्सियस |
| वज़न | m | 70 | g |
| प्लास्टिक मटीरियल | PBT G30/G15，UL94- V0; | ||
| मानकों | आईईसी60950-1:2001 | ||
| EN50178:1998 | |||
| एसजे20790-2000 | |||
आयाम (मिमी):
टिप्पणी:
1,जब करंट मापा जाएगा तो यह सेंसर के प्राथमिक पिन से होकर गुजरेगा, वोल्टेज को आउटपुट छोर पर मापा जाएगा।(नोट: झूठी वायरिंग के परिणामस्वरूप सेंसर को नुकसान हो सकता है)।
2, विभिन्न रेटेड इनपुट करंट और आउटपुट वोल्टेज में कस्टम डिज़ाइन उपलब्ध हैं।
3, गतिशील प्रदर्शन सबसे अच्छा होता है जब प्राथमिक छेद पूरी तरह से भर जाता है;
4, प्राथमिक कंडक्टर <100°C होना चाहिए;
आयताकार प्रकार विद्युत डेटा：（Ta=25°C，Vc=+12.0VDC,RL=2KΩ）
| पैरामीटर | एमएलआरएच-200ए/2वी | एमएलआरएच4-600ए/2वी | एमएलआरएच4-800ए/2वी | एमएलआरएच4-1000ए/2वी | एमएलआरएच4-1200ए/2वी | एमएलआरएच4-2000ए/2वी | इकाई | |
| इनपुट श्रेणी निर्धारण | आईपीएन | 200 | 600 | 800 | 1000 | 1200 | 2000 | A |
| माप सीमा | IP | 0～±200 | 0～±600 | 0～±800 | 0～±1000 | 0～±1200 | 0～±2000 | A |
| आउटपुट वोल्टेज | Vo |
| 2.500±2.0*(आईपी/आईपीएन) |
| V | |||
| आउटपुट वोल्टेज | Vo | @IP=0,T=25°C | 2.500 |
| V | |||
| भार प्रतिरोध | RL |
| >2 |
| KΩ | |||
| वोल्टेज आपूर्ति | VC |
| +12.0±5% |
| V | |||
| शुद्धता | XG | @IPN,T=25°C | <±1.0 | % | ||||
| वोल्टेज समयोजन | वीओई | @IP=0,T=25°C | <±25 | mV | ||||
| वीओई का तापमान भिन्नता | मतदान | @आईपी=0,-40 ~ +85°C | <±1.0 | एमवी/℃ | ||||
| हिस्टैरिसीस ऑफसेट वोल्टेज | वोह | @आईपी=0, 1*आईपीएन के बाद | <±20 | mV | ||||
| रैखिकता त्रुटि | εr | <1.0 | %एफएस | |||||
| डि/डीटी |
| > 100 | ए/μs | |||||
| प्रतिक्रिया समय | ट्रा | @90% आईपीएन | <7.0 | μS | ||||
| बिजली की खपत | IC | 15 | mA | |||||
| बैंडविड्थ | BW | @-3डीबी,आईपीएन | डीसी-20 | KHZ | ||||
| इन्सुलेशन वोल्टेज | Vd | @50/60 हर्ट्ज़, 1 मिनट, एसी | 6.0 | KV | ||||
सामान्य डेटा:
| 参数पैरामीटर | 符号प्रतीक | 数值मूल्य | 单位यूनिट |
| परिचालन तापमान | TA | -40 ~ +85 | डिग्री सेल्सियस |
| भंडारण तापमान | Ts | -55~+125 | डिग्री सेल्सियस |
| वज़न | m | 200 | g |
| प्लास्टिक मटीरियल | PBT G30/G15，UL94- V0; | ||
| मानकों | आईईसी60950-1:2001 | ||
| EN50178:1998 | |||
| एसजे20790-2000 | |||
आयाम (मिमी):
टिप्पणी:
1, जब करंट मापा जाएगा तो सेंसर के प्राथमिक पिन से होकर गुजरेगा, वोल्टेज होगा
आउटपुट छोर पर मापा गया। (नोट: गलत वायरिंग के परिणामस्वरूप सेंसर को नुकसान हो सकता है)।
2, विभिन्न रेटेड इनपुट करंट और आउटपुट वोल्टेज में कस्टम डिज़ाइन उपलब्ध हैं।
3, गतिशील प्रदर्शन सबसे अच्छा होता है जब प्राथमिक छेद पूरी तरह से भर जाता है;
4, प्राथमिक कंडक्टर <100°C होना चाहिए;
हम जानते हैं कि हम तभी सफल होंगे जब हम ओईएम कस्टमाइज्ड चाइना गुड कंसिस्टेंसी मल्टीलेयर हनीकॉम्ब टाइप 100ए 0.1 क्लास डीसी इम्यून करंट ट्रांसफार्मर के लिए एक ही समय में अपनी संयुक्त लागत प्रतिस्पर्धात्मकता और उच्च-गुणवत्ता की आसानी से गारंटी दे सकें, हमारा संगठन इस बात के लिए समर्पित रहा है कि "ग्राहक पहले" ” और ग्राहकों को उनके छोटे व्यवसाय का विस्तार करने में मदद करने के लिए प्रतिबद्ध हैं, ताकि वे बिग बॉस बन सकें!
OEM अनुकूलितचीन डीसी इम्यून करंट ट्रांसफार्मर, ट्रांसफार्मर निर्माता, सुनिश्चित करें कि आप गंभीरता से हमें अपनी आवश्यकताएं भेजने में संकोच न करें और हम आपको यथाशीघ्र जवाब देंगे।अब हमें आपकी लगभग हर विस्तृत आवश्यकता को पूरा करने के लिए एक अनुभवी इंजीनियरिंग समूह मिल गया है।अधिक जानकारी प्राप्त करने के लिए आपके मामले में निःशुल्क नमूने व्यक्तिगत रूप से भेजे जा सकते हैं।अपनी आवश्यकताओं को पूरा करने के प्रयास में, गंभीरतापूर्वक बेझिझक हमसे संपर्क करना सुनिश्चित करें।आप हमें ईमेल भेज सकते हैं और सीधे हमसे संपर्क कर सकते हैं।इसके अलावा, हम अपने संगठन की बेहतर पहचान के लिए दुनिया भर से हमारे कारखाने में आने वाले लोगों का स्वागत करते हैं।दूसरी बातें.अनेक देशों के व्यापारियों के साथ अपने व्यापार में, हम आम तौर पर समानता और पारस्परिक लाभ के सिद्धांत का पालन करते हैं।वास्तव में हमारी आशा संयुक्त प्रयासों से, प्रत्येक व्यापार और मित्रता को हमारे पारस्परिक लाभ के लिए बाजार में लाने की है।हम आपकी पूछताछ पाने के लिए उत्सुक हैं।
