Трансфарматар напружання/патэнцыялу тыпу току для мантажу на друкаванай плаце PT Рэкамендаваны малюнак

Трансфарматар напружання/патэнцыялу тыпу току для мацавання на друкаванай плаце PT

P/N: MLVC-2144

Спосаб ўстаноўкі:Усталяваны на друкаваную плату

Намінальны ўваходны ток:2 мА/2 мА

Тэст на прывітанне:3000-4000 В/1 мА 1 мін

Супраціў пастаяннаму току:DC500V/100M Ом

Асноўны матэрыял:Ультракрышталічнае ядро

Супраціў нагрузцы:20Q.50Q.100Q

Супраціў ізаляцыі:≥500MQ (500VDC)

Вытрымлівальнае напружанне ізаляцыі:4 кВ/1 мА/60 с

Працоўная частата:50-400 Гц

Працоўная тэмпература:25°C~+75Cor-40C~+95°C

Ізаляцыя:Эпаксідная смала інкапсуляваная

Знешні корпус:Вогнеахоўны PBT

Ужыванне:Вымярэнне ізаляцыі напружання, кампенсацыя магутнасці, абарона мікракампутара, вымярэнне току, дакладны вымяральнік магутнасці, прыборы і датчыкі

Запытайце зараз Наступны прадукт

Дэталь прадукту

Тэгі прадукту

Апісанне

Назва прадукту	Трансфарматар напружання/патэнцыялу тыпу току для мацавання на друкаванай плаце PT
П/Н	MLVC-2144
Спосаб ўстаноўкі	Усталяваны на друкаваную плату
Rуваходны ток	2 мА/2 мА
Тэст хай-пот	3000-4000 В/1 мА 1 мін
Супраціў пастаяннага току	DC500V/100M Ом
Асноўны матэрыял	Ультракрышталічнае ядро
Дакладнасць	0,1,0,2,0,5
Супраціў нагрузцы	20Ω,50Ω,100Ω
Супраціў ізаляцыі	≥500 МОм (500 В пастаяннага току)
Ізаляцыя вытрымлівае напружанне	4 кВ/1 мА/60 с
Працоўная частата	50-400 Гц
Працоўная тэмпература	-25℃ ~ +75℃ або -40℃ ~ +95℃
Ізаляцыя	Эпаксідная смала інкапсуляваная
Знешні чахол	Вогнеахоўны PBT
Aпрымяненне	Вымярэнне ізаляцыі напружання, кампенсацыя магутнасці, абарона мікракампутара, вымярэнне току, дакладны вымяральнік магутнасці, прыборы і датчыкі

Асаблівасці

Невялікага памеру

Розныя канфігурацыі і выхадныя характарыстыкі, індывідуальныя прадукты вітаюцца

Высокая дакладнасць

Нанакрышталічнае ядро
Вельмі высокая лінейнасць

Усталяваны на друкаванай плаце, інкапсуляваны ў эпаксідную смалу

Выдатная лінейнасць па ўсім дыяпазоне

Намінальны ўваход і выхад	Бягучы каэфіцыент	Клас дакладнасці	Супраціў нагрузкі	Частата
2 мА/2 мА	1000:1000	0,1 або 0,2	≤150	50-400 Гц
2 мА/2 мА	1000:1000	0,1 або 0,2	≤150	50-400 Гц
1 мА/1 мА, 2 мА/2 мА	1000:1000	0,1 або 0,2	≤500	50-400 Гц
2 мА/2 мА	1000:1000	0,1 або 0,2	≤200	50-400 Гц